| 類型 |
型號 |
厚度 |
分辨率 |
后道工藝 |
現(xiàn)有工藝 |
| 微流控膠 |
SU-8 2000系列 |
0.5-650μm |
大高寬比負(fù)膠 |
大高寬比，垂直性好，耐高溫，光學(xué)透明，適用于MEMS工藝，鈍化層，微流控以及光電子器件。 |
紫外光刻 |
| SU-8 3000系列 |
5-100μm |
大高寬比負(fù)膠 |
大高寬比，垂直性好，耐高溫，光學(xué)透明，較2000系列具有更好的基底粘附性，更不易在工藝過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力積累，適用于MEMS工藝，微流控，光電器件制作以及作為芯片絕緣、保護(hù)層使用。 |
| HTN683/684 |
20-150μm |
5μm@40μm |
高寬比>10，低應(yīng)力，適合于MEMS，微流控、光電器件等制造工藝。 |
| HTG910/920 |
20-80μm |
30μm@110μm |
厚膠，適用于電鍍，高寬比>3,用于制造凸點、電鑄模具等。 |
| KMPR |
5-115μm |
大高寬比負(fù)膠 |
垂直性好，顯影適用TMAH&KOH,易去膠，耐干法刻蝕 |
| SU-8干膜 |
5-1000μm |
大高寬比負(fù)膠 |
多種厚度選擇，高寬比>5,粗糙度小，耐腐蝕 |
| 電子束膠 |
SML系列(耐刻蝕) |
50-5000nm |
極限5nm |
EM RESIST, 高寬比>10,垂直性好，耐刻蝕，與基底粘附性好 |
電子束光刻 |
| PMMA/MMA |
50-5000nm |
<10nm |
MicroChem, 950K, 495K兩種分子量，與基底粘附性好，適用于電子束光刻，多層T-Gate剝離，晶圓減薄等。 |
| PMMA |
30-2000nm |
<10nm |
高分辨率電子束膠，具有35K, 120K，350K，495K, 950K等多種分子量, 適用于各種電子束光刻。 |
| HSQ |
30-950nm |
<10nm |
高分辨率，耐刻蝕，垂直性好，最常用的電子束負(fù)膠 |
| RE500 |
105nm-1μm |
<20nm |
高分辨率，耐刻蝕，水性顯影液。 |
| RE650 |
150-300nm |
<30nm |
取代ZEP520的電子束正膠，高刻蝕選擇比。 |
| NRE800 |
200-350nm |
<50nm |
取代SAL601的電子束負(fù)膠。耐刻蝕性能好，高寬比>5。 |
| Lift-off膠 |
ROL-7133 |
2.2-4μm |
4μm @4μm |
負(fù)性光刻膠，倒角75-80°，粘附性好，使用普通正膠顯影液，適用于制作金屬電極或?qū)Ь�。 |
|
| LOR/PMGI-SF |
50nm-6μm |
< 0.25μm |
粘附性好，良好的耐熱穩(wěn)定性，易去膠，作為雙層膠的底層膠使用。 |
紫外光刻 |
| HTIN160 |
1.2-2μm |
0.6μm @1.2μm |
高對比度、高寬容度、易去膠，負(fù)膠、Lift-of工藝， 制作電極，導(dǎo)線等 |
| NLOF |
1.8-12μm |
0.7μm@2μm |
感光性好，耐高溫大于200C，適用于Lift-of工藝。 |
| NR系列 |
0.5-20μm |
一般高寬比<1 |
Futurrex, 粘附性好，耐高溫，適用于MEMS、封裝、生物芯片等工藝 |
| DUV光刻膠 |
HTKN601系列 |
0.4-1.2μm |
500nm @600nm |
適用于半導(dǎo)體的光刻工藝和金屬剝離工藝 |
紫外光刻 |
| HTK109 |
300-600nm |
180nm@0.38μm |
|
| 正膠 |
HTI751 |
0.8-1.2μm |
0.5μm@1μm |
高分辨率、低駐波效應(yīng)、垂直度好，應(yīng)用于MEMS、IC工藝。 |
紫外光刻 |
| RDP-8003(55CP) |
2.3-3.5μm |
2μm@2.5μm |
高分辨率，工藝寬容性高，應(yīng)用于MEMS、IC工藝。 |
| SPR955系列 |
0.7-3.5μm |
0.35μm @0.8μm |
分辨率高，0.35μm線寬，廣泛使用的高分辨率正膠。 |
| S18xx系列 |
0.4-2.7μm |
0.5μm@1μm |
高分辨率正膠，粘附性好，耐酸腐蝕，最常用的薄光刻膠，穩(wěn)定可靠。 |
| SPR220系列 |
1-10μm |
1μm@3μm4μm@12μm |
粘附性好，耐干法/濕法刻蝕，適用于選擇性電鍍，深硅刻蝕等工藝。 |
| HTI560/560-8 |
1-8μm |
1μm@5μm, 2μm@8μm |
化學(xué)放大型正膠，用于集成電路中高能注入和pad制造。 |
| 負(fù)膠 |
SU-8 GM10xx系列 |
0.1-200μm |
大高寬比負(fù)膠 |
大高寬比，透明度高，垂直性好，適用于微細(xì)加工的機(jī)械結(jié)構(gòu)(MEMS)和其他的微型系統(tǒng)。 |
紫外光刻 |
SU-8
Micro chem系列 |
0.5-650μm |
大高寬比負(fù)膠 |
大高寬比，垂直性好，耐高溫，光學(xué)透明，適用于MEMS工藝，鈍化層，微流控以及光電子器件。 |
| HTG910/920 |
20-80μm |
30μm@110μm |
厚膠，適用于電鍍，高寬比>3,用于制造凸點、電鑄模具等。 |
| HTI683/684 |
20-150μm |
5μm@40μm |
高寬比>10，低應(yīng)力，適合于MEMS，微流控、光電器件等制造工藝。 |
| 注：薄膠數(shù)據(jù)-般為stepper數(shù)據(jù)，在接觸式光刻機(jī)上使用時，應(yīng)按照高寬比1:1 來計算極限分辨率 |
