產(chǎn)品特性：

電子束正膠，EM Resist PMMA，適用于電子束光刻，納米壓印以及石墨烯轉(zhuǎn)移等，高分辨率，具有35K，120K，350K，495K，950K等多種分子量。

光源E-beam，膜厚30-2000nm。

工藝條件

溶劑：苯甲醚； 

前烘：180°C，2min

曝光：100-300 uC/cm2 @ 30kV；

顯影：MIBK:IPA (1:3)，30s

漂洗：IPA，30