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       通過(guò)光學(xué)投影成像系統(tǒng)，將中間掩模版圖形按照所需要的倍率縮小，通過(guò)縮小透鏡在涂有光刻膠的襯底表面曝光成像，通過(guò)自動(dòng)掩模版對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、工作臺(tái)伺服控制系統(tǒng)和雙頻激光干涉儀精密定位系統(tǒng)配合，實(shí)現(xiàn)光刻工藝層間套刻和在整個(gè)襯底范圍內(nèi)分布重復(fù)圖形陣列的曝光。投影縮小透鏡的倍率方便有五倍、四倍和十倍。按照曝光光源的波長(zhǎng)可分為g線（436nm）、i線（365nm）、準(zhǔn)分子激光（248nm或193nm）。該類曝光技術(shù)是目前IC生產(chǎn)領(lǐng)域的主流設(shè)備，在增加了許多輔助技術(shù)后，其分辨率極限為7nm。