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       調整掩模版和襯底相對位置和角度實現對準曝光的曝光方式。利用分立顯微鏡系統觀察調整掩模版和晶片上對準標記的相對位置；利用真空和空壓系統調節(jié)掩模版和晶片之間的氣壓實現不同接觸方式，利用精密電極控制掩模版和襯底之間的間隙實現接近式曝光。它是最古老的光刻技術，其理論分辨率可達到0.5um，但由于掩模版和襯底接觸，沾污嚴重，因此工業(yè)生產中一般只在3um以上的情況下采用此方式。目前在研發(fā)領域仍然有大規(guī)模的應用，在工業(yè)領域則集中在LED、MEMS和先進封裝等不需要高分辨率的領域。