光刻是半導(dǎo)體制造工藝中器件和電路結(jié)構(gòu)圖形從掩模轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片的過(guò)程。光刻技術(shù)是從借用照相術(shù)、平版印刷術(shù)的基礎(chǔ)。上逐漸發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。光刻原本是指通過(guò)曝光工序把掩模版上某層的半導(dǎo)體器件或電路的版圖復(fù)印到半導(dǎo)體晶片表面的抗蝕劑膜上，再通過(guò)顯影工序溶解去除或者保留被曝光區(qū)域的抗蝕劑膜，使抗蝕劑膜生成與掩模版相同的版圖，最后利用抗蝕劑的掩蔽作用，選擇性刻蝕半導(dǎo)體晶片材料，最終實(shí)現(xiàn)將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片表面上的目的。由于整個(gè)光刻過(guò)程中最關(guān)鍵的是曝光技術(shù)，而且曝光技術(shù)發(fā)展非�？�、種類非常多，自然地把采用某某方式或者某某光源進(jìn)行曝光稱為相應(yīng)的光刻技術(shù)，如：接觸式光刻、投影光刻、極紫外光刻、193浸沒(méi)光刻、電子束光刻、二重光刻、多重光刻、壓印光刻和納米光刻等。
注意：在微電子領(lǐng)域不要把"LITHOGRAPHY"翻譯成“平版印刷”或“石版印刷”，應(yīng)為“光刻”。
同義詞："微影”(中國(guó)臺(tái)灣行業(yè)用語(yǔ)) 。
注：光致抗蝕劑(學(xué)名)=光刻膠(俗稱)
掩模版上有要加工的圖形，分為透光和不透光。
光刻膠曝光后發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)后不溶于顯影液的是負(fù)膠，反應(yīng)后易溶于顯影液的是正膠。
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