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      極紫外光刻常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長為13.4nm的軟x射線。由于任何光學(xué)透鏡都對(duì)它產(chǎn)生嚴(yán)重的吸收，所以光學(xué)鏡片和掩模版只能采用反射投影式的結(jié)構(gòu)。是目前最先進(jìn)的IC批量生產(chǎn)光刻技術(shù)，其分辨率可達(dá)到7nm以下。