光刻膠應(yīng)用很廣，我們要了解一些常見的光刻膠概念和效應(yīng),共有6種。

1、擺線效應(yīng)（Swing Curve Effect）

現(xiàn)象：在光刻膠曝光時(shí)，以相同的曝光劑量對(duì)不同厚度的光刻膠曝光，從而引起關(guān)鍵尺寸（CD，Critical dimension）的誤差。

2、駐波效應(yīng)（Standing Wave Effect）

現(xiàn)象：在光刻膠曝光的過程中，透射光與反射光（在基底或者表面）之間會(huì)發(fā)生干涉。這種相同頻率的光波之間的干涉，在光刻膠的曝光區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)相長(zhǎng)相消的條紋。光刻膠在顯影后，在側(cè)壁會(huì)產(chǎn)生波浪狀的不平整。

解決方案：a、在光刻膠內(nèi)加入染色劑，降低干涉現(xiàn)象；b、在光刻膠的上下表面增加抗反射涂層（ARC，Anti-Reflective Coating）；c、后烘（PEB，Post Exposure Baking）和硬烘（HB，Hard Baking）。

3、反射切口效應(yīng)（Notching Effect）

現(xiàn)象：在光刻膠曝光時(shí)，由于接觸孔尺寸的偏移等原因使入射光線直接照射到金屬或多晶硅上發(fā)生發(fā)射，使不希望曝光的光刻膠被曝光，顯影后，在光刻膠的底部出現(xiàn)缺口。

解決方案：a、提高套刻精度，防止接觸孔打偏；b、涂覆抗反射涂層。

4、T型圖形（T-Top Profiles）

現(xiàn)象：由于表面的感光劑不足而造成表層光刻膠的圖形尺寸變窄。

解決方案：注意腔室中保持清潔，排除腔室中的堿性氣體污染。
5、腳狀圖形（Footing Profiles）

現(xiàn)象：在光刻膠的底部，出現(xiàn)曝光不足。使顯影后，底部有明顯的光刻膠殘留。

解決方案：a、妥善保管光刻膠，不要讓其存放于堿性環(huán)境中；b、在涂覆光刻膠之前，硅片表面要清洗干凈，防止硅基底上有堿性物質(zhì)的殘余。

6、分辨率增強(qiáng)技術(shù)（RET，Resolution Enhanced Technology）

包括偏軸曝光（OAI，Off Axis Illumination）、相移掩膜板技術(shù)（PSM，Phase Shift Mask）、光學(xué)近似修正（OPC，Optical Proximity Correction）以及光刻膠技術(shù)等。

a、偏軸曝光（OAI，Off Axis Illumination）

改變光源入射光方向使之與掩膜板保持一定角度，可以改善光強(qiáng)分布的均勻性。但同時(shí)，光強(qiáng)有所削弱。

b、相移掩膜板技術(shù)（PSM，Phase Shift Mask）

在掩膜板上，周期性地在相鄰的圖形中，每隔一個(gè)圖形特征對(duì)掩膜板的結(jié)構(gòu)（減薄或者加厚）進(jìn)行改變，使相鄰圖形的相位相差180度，從而可以達(dá)到提升分辨率的目的。

相移掩膜板技術(shù)使掩膜板的制作難度和成本大幅增加。

c、光學(xué)近似修正（OPC，Optical Proximity Correction）

在曝光過程中，往往會(huì)因?yàn)楣鈱W(xué)臨近效應(yīng)使最后的圖形質(zhì)量下降：線寬的變化；轉(zhuǎn)角的圓化；線長(zhǎng)的縮短等。需要采用“智能型掩膜板工程（Clever Mask Engineering）” 來補(bǔ)償這種尺寸變化。

7、顯影后檢測(cè)（ADI，After Development Inspection）

主要是檢查硅片表面的缺陷。通常將一個(gè)無(wú)缺陷得標(biāo)準(zhǔn)圖形存于電腦中，然后用每個(gè)芯片的圖形與標(biāo)準(zhǔn)相比較，出現(xiàn)多少不同的點(diǎn)，就會(huì)在硅片的defect map中顯示多少個(gè)缺陷。

8、抗反射涂層（ARC，Anti-Reflective Coating）

光刻膠照射到光刻膠上時(shí)，使光刻膠曝光。但同時(shí)，在光刻膠層的上下表面也會(huì)產(chǎn)生反射而產(chǎn)生切口效應(yīng)和駐波效應(yīng)。

a、底部抗反射涂層（BARC，Bottom Anti-Reflective Coating）。將抗反射涂層涂覆在光刻膠的底部來減少底部光的反射。有兩種涂層材料：有機(jī)抗反射涂層（Organic），在硅片表面旋涂，依靠有機(jī)層直接接收掉入射光線；無(wú)機(jī)抗反射涂層（Inorganic），在硅片表面利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition）形成。一般材料為：TiN或SiN。通過特定波長(zhǎng)相位相消而起作用，最重要的參數(shù)有：材料折射率、薄膜厚度等。

b、頂部抗反射涂層（TARC，Top Anti-Reflective Coating）。不會(huì)吸收光，而是通過光線之間相位相消來消除反射。為一層透明的薄膜。

       光刻膠很重要，深圳市云谷半導(dǎo)體材料有限公司提供高品質(zhì)光刻膠產(chǎn)品以及完美的售后服務(wù)，已經(jīng)成為多家世界知名的光刻膠品牌緊密的合作伙伴。電話：0755-25829022，相產(chǎn)產(chǎn)品和技術(shù)咨詢可電詢。